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STGW75H65DFB2-4
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$194.620 |
| 5+ | NT$185.830 |
| 10+ | NT$177.040 |
| 50+ | NT$168.250 |
| 100+ | NT$159.460 |
| 250+ | NT$150.660 |
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產品訊息
製造商產品編號STGW75H65DFB2-4
訂購代碼3581059
Product RangeHB2
技術資料表
Continuous Collector Current115A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation357W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Continuous Collector Current
115A
Power Dissipation
357W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00443