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STGWA80H65DFBAG
IGBT, 120 A, 1.65 V, 535 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$203.630 |
| 10+ | NT$146.850 |
| 100+ | NT$127.550 |
| 500+ | NT$116.610 |
| 1000+ | NT$108.510 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$203.63
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產品訊息
製造商產品編號STGWA80H65DFBAG复制
訂購代碼5117135
技術資料表
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation535W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range0
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Continuous Collector Current
120A
Power Dissipation
535W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
0
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001