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STH200N10WF7-2
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$172.320 |
| 10+ | NT$130.890 |
| 100+ | NT$123.560 |
| 500+ | NT$116.230 |
| 1000+ | NT$108.900 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商產品編號STH200N10WF7-2
訂購代碼3879174
Product RangeSTripFET F7 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleH2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000007