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STH285N10F8-6AG
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 292 A, 1900 µohm, H2PAK-6, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$140.170 |
| 10+ | NT$109.710 |
| 100+ | NT$94.320 |
| 500+ | NT$84.870 |
| 1000+ | NT$82.040 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
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產品訊息
製造商產品編號STH285N10F8-6AG复制
製造商標準前置時間5 週
訂購代碼4913888
Product RangeSTripFET F8 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id292A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleH2PAK-6
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation341W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F8 Series
QualificationAEC-Q100
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
292A
Transistor Case Style
H2PAK-6
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
341W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q100
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
STripFET F8 Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：1.529