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STH4N150-2AG
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$109.120 |
| 9000+ | NT$98.510 |
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最少: 3000
多項: 3000
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產品訊息
製造商產品編號STH4N150-2AG复制
訂購代碼5116015
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance10ohm
Transistor Case StyleH2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001