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STS8DN6LF6AG
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
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製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式3129917RL
條帶式包裝3129917
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$63.280 | NT$63.28 |
| 總計 價格 | NT$63.28 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$63.280 |
| 10+ | NT$40.420 |
| 100+ | NT$26.940 |
| 500+ | NT$25.840 |
| 1000+ | NT$24.740 |
| 5000+ | NT$23.640 |
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產品訊息
製造商產品編號STS8DN6LF6AG复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式3129917RL
條帶式包裝3129917
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.2W
Power Dissipation P Channel3.2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.2W
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00035