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STW58N65DM2AG
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 48 A, 0.058 ohm, TO-247, Through Hole
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產品訊息
製造商產品編號STW58N65DM2AG
訂購代碼2522904
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00916