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TSM1NB60CP ROG
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商產品編號TSM1NB60CP ROG复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式2345414RL
條帶式包裝2345414
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$34.310 | NT$34.31 |
| 總計 價格 | NT$34.31 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$34.310 |
| 10+ | NT$32.290 |
| 100+ | NT$30.260 |
| 500+ | NT$28.230 |
| 1000+ | NT$26.470 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號TSM1NB60CP ROG复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式2345414RL
條帶式包裝2345414
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
產品總覽
The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.
- Advanced planar process
- 100% Avalanche tested
- Low RDS (ON)
- Low CRSS
應用
Industrial, Power Management, Lighting
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001996