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TSM2301CX
Power MOSFET, Low Voltage, P Channel, 20 V, 2.3 A, 0.095 ohm, SOT-23, Surface Mount
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產品訊息
製造商產品編號TSM2301CX复制
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複捲式1299315RL
條帶式包裝1299315
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
產品總覽
The TSM2301CX is a 20V P-channel enhancement mode Power MOSFET with high density cell design for ultra low on-resistance and excellent thermal and electrical capabilities.
- Advance trench process technology
- 100°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
應用
Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000008