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GT30N135SRA,S1E(S
IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$185.020 |
| 10+ | NT$127.880 |
| 100+ | NT$101.760 |
| 500+ | NT$94.930 |
| 1000+ | NT$89.900 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$185.02
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號GT30N135SRA,S1E(S复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼3941898
其他名稱GT30N135SRA ,GT30N135SRA,S1E
技術資料表
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage2.15V
Power Dissipation348W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
技術規格
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
348W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.15V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.007698