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HN1B04FE-Y,LXHF(T
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.570 |
| 10+ | NT$14.000 |
| 100+ | NT$9.030 |
| 500+ | NT$6.880 |
| 1000+ | NT$4.650 |
| 5000+ | NT$4.200 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$112.85
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號HN1B04FE-Y,LXHF(T
訂購代碼4381152
其他名稱HN1B04FE-Y, HN1B04FE-Y,LXHF
技術資料表
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current NPN150mA
Continuous Collector Current PNP150mA
Power Dissipation NPN100mW
Power Dissipation PNP100mW
DC Current Gain hFE Min NPN120hFE
DC Current Gain hFE Min PNP120hFE
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN80MHz
Transition Frequency PNP80MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
技術規格
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current PNP
150mA
Power Dissipation PNP
100mW
DC Current Gain hFE Min PNP
120hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
80MHz
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
150mA
Power Dissipation NPN
100mW
DC Current Gain hFE Min NPN
120hFE
Transistor Case Style
SOT-563
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
80MHz
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000003