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HN4A51J(TE85L,F)
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 120 V, 100 mA
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號HN4A51J(TE85L,F)复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4415967RL
條帶式包裝4415967
其他名稱HN4A51J, HN4A51J(TE85L
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$20.060 | NT$100.30 |
| 總計 價格 | NT$100.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$20.060 |
| 10+ | NT$12.300 |
| 100+ | NT$7.870 |
| 500+ | NT$5.930 |
| 1000+ | NT$4.500 |
| 5000+ | NT$3.530 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號HN4A51J(TE85L,F)复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4415967RL
條帶式包裝4415967
其他名稱HN4A51J, HN4A51J(TE85L
技術資料表
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP120V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOT-25
No. of Pins5Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
120V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
5Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-25
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000242