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SSM3J56ACT,L3F(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Surface Mount
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製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM3J56ACT,L3F(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4415909RL
條帶式包裝4415909
其他名稱SSM3J56ACT, SSM3J56ACT,L3F
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$15.890 | NT$79.45 |
| 總計 價格 | NT$79.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$15.890 |
| 10+ | NT$9.670 |
| 100+ | NT$6.120 |
| 500+ | NT$4.570 |
| 1000+ | NT$3.660 |
| 5000+ | NT$3.220 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM3J56ACT,L3F(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4415909RL
條帶式包裝4415909
其他名稱SSM3J56ACT, SSM3J56ACT,L3F
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-883
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-883
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001