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SSM3K318R,LF(T
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Surface Mount
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製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM3K318R,LF(T复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式3870097RL
條帶式包裝3870097
其他名稱SSM3K318R ,SSM3K318R,LF
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$22.700 | NT$113.50 |
| 總計 價格 | NT$113.50 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.700 |
| 10+ | NT$15.180 |
| 100+ | NT$10.770 |
| 500+ | NT$7.790 |
| 1000+ | NT$6.220 |
| 5000+ | NT$4.890 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM3K318R,LF(T复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式3870097RL
條帶式包裝3870097
其他名稱SSM3K318R ,SSM3K318R,LF
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.0835ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0835ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001