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SSM6L36FE,LM(T
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 500 mA, 330 mA, 0.63 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6L36FE,LM(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
整卷4274843
整卷4274843RL
複捲式4387196RL
條帶式包裝4387196
其他名稱SSM6L36FE, SSM6L36FE,LM
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 整卷 | 5 | NT$2.430 | NT$0.00 |
| 總計 價格 | NT$12.15 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$6.320 |
| 50+ | NT$5.560 |
| 250+ | NT$4.140 |
| 1000+ | NT$4.060 |
| 2000+ | NT$3.980 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 4000+ | NT$2.430 |
| 12000+ | NT$2.390 |
如果您想要較少的數量，可以選擇其他包裝類型
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6L36FE,LM(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
整卷4274843
整卷4274843RL
複捲式4387196RL
條帶式包裝4387196
其他名稱SSM6L36FE, SSM6L36FE,LM
技術資料表
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel330mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.63ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.31ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
330mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.31ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.63ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000003