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SSM6L56FE,LM(T
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6L56FE,LM(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
條帶式包裝4415943
條帶式包裝4415943RL
其他名稱SSM6L56FE, SSM6L56FE,LM
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$12.620 |
| 10+ | NT$5.570 |
| 100+ | NT$4.860 |
| 500+ | NT$3.640 |
| 1000+ | NT$2.570 |
| 5000+ | NT$2.180 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$63.10
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號SSM6L56FE,LM(T复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
條帶式包裝4415943
條帶式包裝4415943RL
其他名稱SSM6L56FE, SSM6L56FE,LM
技術資料表
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.235ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.39ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.235ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000003