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TK2R4A08QM,S4X(S
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 116 A, 1880 µohm, TO-220SIS, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | NT$110.620 |
| 10+ | NT$98.600 |
| 100+ | NT$86.580 |
| 500+ | NT$74.560 |
| 1000+ | NT$62.540 |
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK2R4A08QM,S4X(S
訂購代碼4173067
其他名稱TK2R4A08QM, TK2R4A08QM,S4X
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source On State Resistance1880µohm
Transistor Case StyleTO-220SIS
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation47W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
116A
Transistor Case Style
TO-220SIS
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
47W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1880µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00156