列印頁面
TK49N65W,S1F(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 49.2 A, 0.048 ohm, TO-247, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
189 有存貨
需要更多？
189 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$530.850 |
| 5+ | NT$427.690 |
| 10+ | NT$324.530 |
| 50+ | NT$301.910 |
| 100+ | NT$279.280 |
| 250+ | NT$273.700 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$530.85
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK49N65W,S1F(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼4173109
其他名稱TK49N65W, TK49N65W,S1F
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id49.2A
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation400W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49.2A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00615