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TK4P60D,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK4P60D,RQ(S复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式4173112RL
條帶式包裝4173112
其他名稱TK4P60D, TK4P60D,RQ
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$39.460 | NT$39.46 |
| 總計 價格 | NT$39.46 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$39.460 |
| 10+ | NT$18.340 |
| 100+ | NT$16.240 |
| 500+ | NT$12.620 |
| 1000+ | NT$12.550 |
| 5000+ | NT$12.300 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK4P60D,RQ(S复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式4173112RL
條帶式包裝4173112
其他名稱TK4P60D, TK4P60D,RQ
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00036