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TK6P65W,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK6P65W,RQ(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4173142RL
條帶式包裝4173142
其他名稱TK6P65W, TK6P65W,RQ
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$38.450 | NT$38.45 |
| 總計 價格 | NT$38.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$38.450 |
| 10+ | NT$30.760 |
| 100+ | NT$21.560 |
| 500+ | NT$21.120 |
| 1000+ | NT$17.880 |
| 5000+ | NT$17.530 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK6P65W,RQ(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4173142RL
條帶式包裝4173142
其他名稱TK6P65W, TK6P65W,RQ
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance0.89ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.89ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00036