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TK9Q65W,S1Q(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 9.3 A, 0.56 ohm, TO-251 (IPAK), Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$77.910 |
| 10+ | NT$41.650 |
| 100+ | NT$35.260 |
| 500+ | NT$29.370 |
| 1000+ | NT$26.770 |
| 5000+ | NT$24.950 |
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最少: 1
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK9Q65W,S1Q(S复制
訂購代碼5130445
Product RangeDTMOS IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9.3A
Drain Source On State Resistance0.56ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDTMOS IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.3A
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.56ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DTMOS IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015