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TPN2R805PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TPN2R805PL,L1Q(M复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4173232RL
條帶式包裝4173232
Product RangeU-MOSIX-H Series
其他名稱TPN2R805PL, TPN2R805PL,L1Q
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$56.070 | NT$56.07 |
| 總計 價格 | NT$56.07 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$56.070 |
| 10+ | NT$35.470 |
| 100+ | NT$23.610 |
| 500+ | NT$18.550 |
| 1000+ | NT$17.970 |
| 5000+ | NT$17.380 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TPN2R805PL,L1Q(M复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4173232RL
條帶式包裝4173232
Product RangeU-MOSIX-H Series
其他名稱TPN2R805PL, TPN2R805PL,L1Q
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id139A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
139A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00003