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TPW1R306PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 950 µohm, DSOP, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TPW1R306PL,L1Q(M复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式3872568RL
條帶式包裝3872568
其他名稱TPW1R306PL ,TPW1R306PL,L1Q
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$139.750 | NT$139.75 |
| 總計 價格 | NT$139.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$139.750 |
| 10+ | NT$93.870 |
| 100+ | NT$67.780 |
| 500+ | NT$63.140 |
| 1000+ | NT$62.730 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TPW1R306PL,L1Q(M复制
製造商標準前置時間36 週
訂購代碼
複捲式3872568RL
條帶式包裝3872568
其他名稱TPW1R306PL ,TPW1R306PL,L1Q
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance950µohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
950µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000147