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TRS12E65H,S1Q(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 33 A, 33 nC, TO-220
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$169.520 |
| 10+ | NT$105.030 |
| 100+ | NT$88.140 |
| 500+ | NT$64.170 |
| 1000+ | NT$62.890 |
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最少: 1
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TRS12E65H,S1Q(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼4227504
其他名稱TRS12E65H, TRS12E65H,S1Q
技術資料表
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current33A
Total Capacitive Charge33nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
技術規格
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
33nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
33A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0019