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TRS12V65H,LQ(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TRS12V65H,LQ(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4227506RL
條帶式包裝4227506
其他名稱TRS12V65H, TRS12V65H,LQ
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$110.390 | NT$110.39 |
| 總計 價格 | NT$110.39 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$110.390 |
| 10+ | NT$71.040 |
| 100+ | NT$64.700 |
| 500+ | NT$61.790 |
| 1000+ | NT$57.570 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TRS12V65H,LQ(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼
複捲式4227506RL
條帶式包裝4227506
其他名稱TRS12V65H, TRS12V65H,LQ
技術資料表
Product Range-
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current30A
Total Capacitive Charge33nC
Diode Case StyleDFN
No. of Pins5 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
技術規格
Product Range
-
Average Forward Current
30A
Diode Case Style
DFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
33nC
No. of Pins
5 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000175