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TW027N65C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$468.720 |
| 5+ | NT$412.830 |
| 10+ | NT$356.940 |
| 50+ | NT$327.230 |
| 100+ | NT$297.520 |
| 250+ | NT$291.570 |
價格Each
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TW027N65C,S1F(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼4049752
其他名稱TW027N65C, TW027N65C,S1F
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation156W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
156W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.006