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TW048N65C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$354.140 |
| 5+ | NT$307.190 |
| 10+ | NT$255.470 |
| 50+ | NT$244.000 |
| 100+ | NT$231.650 |
| 250+ | NT$227.620 |
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TW048N65C,S1F(S复制
製造商標準前置時間24 週
訂購代碼4049753
其他名稱TW048N65C ,TW048N65C,S1F
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation132W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
132W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.006