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XPN9R614MC,L1Q(O
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 40 A, 9600 µohm, TSON Advance, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 10+ | NT$31.450 |
| 100+ | NT$23.690 |
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號XPN9R614MC,L1Q(O复制
訂購代碼5130491
Product RangeU-MOSVI Series
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance9600µohm
Transistor Case StyleTSON Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVI Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TSON Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
9600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015