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XPQR8308QB,LQ(O
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 350 A, 830 µohm, L-TOGL, Surface Mount
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| 10+ | NT$153.350 |
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號XPQR8308QB,LQ(O复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼5130495
Product RangeU-MOSX-H Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id350A
Drain Source On State Resistance830µohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation750W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
830µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015