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XSM6J808R,LXHF(T
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP-F, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$19.820 |
| 50+ | NT$14.220 |
| 250+ | NT$12.930 |
| 500+ | NT$11.630 |
| 1500+ | NT$9.950 |
| 3000+ | NT$9.480 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號XSM6J808R,LXHF(T复制
訂購代碼5131241
Product RangeU-MOS VI
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTSOP-F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOS VI
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Transistor Case Style
TSOP-F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOS VI
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000016