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XSM6K336NW,LXHF(A
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, WFDFN2020B, Surface Mount
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製造商TOSHIBA
製造商產品編號XSM6K336NW,LXHF(A复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4860689RL
條帶式包裝4860689
Product RangeU-MOSVII-H Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$26.320 | NT$131.60 |
| 總計 價格 | NT$131.60 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$26.320 |
| 10+ | NT$15.940 |
| 100+ | NT$11.750 |
| 500+ | NT$9.400 |
| 1000+ | NT$8.090 |
| 5000+ | NT$7.500 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號XSM6K336NW,LXHF(A复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
複捲式4860689RL
條帶式包裝4860689
Product RangeU-MOSVII-H Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleWFDFN2020B
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.53W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
WFDFN2020B
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.53W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOSVII-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0015