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XSM6K519NW,LXHF(A
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 8 A, 0.0178 ohm, WFDFN2020B, Surface Mount
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製造商TOSHIBA
製造商產品編號XSM6K519NW,LXHF(A复制
訂購代碼
複捲式4860686RL
條帶式包裝4860686
Product RangeU-MOSVIII-H Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$42.730 | NT$42.73 |
| 總計 價格 | NT$42.73 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$42.730 |
| 10+ | NT$25.880 |
| 100+ | NT$19.070 |
| 500+ | NT$15.270 |
| 1000+ | NT$13.140 |
| 5000+ | NT$12.170 |
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號XSM6K519NW,LXHF(A复制
訂購代碼
複捲式4860686RL
條帶式包裝4860686
Product RangeU-MOSVIII-H Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0178ohm
Transistor Case StyleWFDFN2020B
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.84W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
WFDFN2020B
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.84W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0178ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0015