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TP65H035G4WSQA
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | NT$677.340 |
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| 50+ | NT$547.220 |
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產品訊息
製造商RENESAS
製造商產品編號TP65H035G4WSQA复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼4371964
Product RangeSuperGaN Series
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id47.2A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge22nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
47.2A
Typical Gate Charge
22nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.24