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TP65H300G4JSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.312 ohm, 3.5 nC, PQFN, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商RENESAS
製造商產品編號TP65H300G4JSGB-TR
訂購代碼4371977
Product RangeSuperGaN Series
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.312ohm
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.312ohm
Transistor Case Style
PQFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
9.2A
Typical Gate Charge
3.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：1.12