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UF3C120080B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
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|---|---|
| 1+ | NT$560.340 |
| 5+ | NT$479.580 |
| 10+ | NT$398.820 |
| 50+ | NT$387.440 |
| 100+ | NT$376.060 |
| 250+ | NT$368.550 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號UF3C120080B7S复制
製造商標準前置時間39 週
訂購代碼4221992
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28.8A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance85mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation190W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28.8A
Drain Source On State Resistance
85mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
190W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001