列印頁面
UF3C120080K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
400 有存貨
需要更多？
400 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$725.130 |
| 5+ | NT$583.740 |
| 10+ | NT$442.340 |
| 50+ | NT$433.500 |
| 100+ | NT$424.650 |
| 250+ | NT$415.800 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$725.13
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號UF3C120080K4S复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼4014244
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation254.2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
254.2W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001361