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UF4SC120023K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
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|---|---|
| 1+ | NT$852.010 |
| 5+ | NT$837.340 |
| 10+ | NT$822.660 |
| 50+ | NT$807.980 |
| 100+ | NT$793.300 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號UF4SC120023K4S复制
製造商標準前置時間39 週
訂購代碼4221997
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation385W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
23mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
385W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00821