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UJ3C065030B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$842.950 | NT$842.95 |
| 總計 價格 | NT$842.95 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$842.950 |
| 5+ | NT$759.050 |
| 10+ | NT$675.140 |
| 50+ | NT$630.850 |
| 100+ | NT$586.550 |
| 250+ | NT$574.820 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號UJ3C065030B3复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式4014254RL
條帶式包裝4014254
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation242W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
242W
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0014