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SI4800BDY
MOSFET, N, SO-8
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不再生產
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4800BDY复制
訂購代碼
複捲式8156409RL
條帶式包裝8156409
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance0.0185ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SI4800BDY 的替代選擇
找到 3 個產品
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0185ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
相關產品
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00008