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SIE812DF-T1-E3
MOSFET, N, POLAR PAK
不再生產
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIE812DF-T1-E3复制
訂購代碼1497643
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id163A
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StylePolarPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation125W
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
163A
Transistor Case Style
PolarPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
10Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00099