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2N7002-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, TO-236, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號2N7002-T1-E3复制
訂購代碼
複捲式1021754RL
條帶式包裝1021754
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
2N7002-T1-E3 的替代選擇
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產品總覽
The 2N7002-T1-E3 is a 60V N-channel MOSFET with low on resistance and low threshold. Suitable for solid-state relays and TTL/CMOS direct logic-level interface.
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input and output leakage
- Low offset voltage
- Low error voltage
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000033