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2N7002K-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$6.800 | NT$34.00 |
| 總計 價格 | NT$34.00 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$6.800 |
| 50+ | NT$5.540 |
| 100+ | NT$4.270 |
| 500+ | NT$3.590 |
| 1500+ | NT$2.900 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$2.840 |
| 9000+ | NT$2.600 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號2N7002K-T1-GE3复制
製造商標準前置時間12 週
訂購代碼
整卷3879336
複捲式1858936RL
條帶式包裝1858936
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The 2N7002K-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers low Input and output leakage.
- 2Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 25pF Low input capacitance
- 25ns Fast switching speed
- 2000V ESD Protection
- Halogen-free
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- Easily driven without buffer
- High-speed circuits
- Low error voltage
應用
Portable Devices, Lighting, Communications & Networking, Imaging, Video & Vision, Signal Processing, Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
2N7002K-T1-GE3 的替代選擇
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000008