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CQY37N
Infrared Emitter, Miniature, 950 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 800 mW/Sr, 800 ns
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號CQY37N复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼1045521
技術資料表
Peak Wavelength950nm
Angle of Half Intensity12°
Diode Case StyleT-3/4 (1.8mm)
Radiant Intensity (Ie)800mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)50mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
產品總覽
950nm infrared emitting diode in GaAs suitable for use in radiation source in near infrared range.
- Leaded package type
- T-¾ package form
- High reliability
- Angle of half intensity of ±12°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Package matches with detector BPW17N
技術規格
Peak Wavelength
950nm
Diode Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
50mA
Operating Temperature Min
-25°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
12°
Radiant Intensity (Ie)
800mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000111