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IRF820APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號IRF820APBF复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼8648506
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The IRF820APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with ultra-low gate charge.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and Avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002