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IRFBC40APBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號IRFBC40APBF-BE3复制
訂購代碼4853587
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6.2A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015