列印頁面
IRFP460LCPBF..
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
1,210 有存貨
500 即日起您可預購補貨
710 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
500 件可于 4-5 個工作日後配送(美國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 500+ | NT$250.870 |
價格Each
最少: 500
多項: 500
NT$125,435.00
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號IRFP460LCPBF..复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼2295735
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation280W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The IRFP460LCPBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Enhanced 30V VGS rating
- Isolated central mounting hole
- Reduced Ciss, Coss and Crss
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
280W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
IRFP460LCPBF.. 的替代選擇
找到 5 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005444