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IRL510PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | NT$30.170 |
| 10+ | NT$21.190 |
| 100+ | NT$16.330 |
| 500+ | NT$13.110 |
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| 5000+ | NT$11.020 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號IRL510PBF-BE3
訂購代碼4853605
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015