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IRLI640GPBF.
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Through Hole
无库存
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號IRLI640GPBF.
訂購代碼8660042
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
IRLI640GPBF. 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Great Britain
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Great Britain
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002