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MXP120A063SE-T1GE3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 1.2 kV, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$294.730 |
| 5+ | NT$241.930 |
| 10+ | NT$207.160 |
| 50+ | NT$196.360 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號MXP120A063SE-T1GE3
訂購代碼4899033
Product RangeMaxSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.079ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
41A
Drain Source On State Resistance
0.079ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
221W
Product Range
MaxSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005