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SI1012R-T1-GE3.
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 600mA, SOT-416-3
无库存
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1012R-T1-GE3.复制
訂購代碼2459400
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance0.41ohm
Transistor Case StyleSOT-416
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
SOT-416
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.41ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000028